Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Renesas Electronics America Inc RBA250N10CHPF-4UA02#GB0 - Renesas Electronics America Inc FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Renesas Electronics America Inc RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

МП-25ЛЗУ

  • Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
  • Номер производителя: Renesas Electronics America Inc RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3899
  • Артикул: RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.2600

Дополнительная цена:$6.2600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас Электроникс Америка Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 250А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,4 мОм при 125 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,8 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 190 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9500 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,8 Вт (Та), 348 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-7
Пакет/ключи ТО-263-7, Д²Пак (6 отведений + вывод), ТО-263СВ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 800
N-канал 100 В 250 А (Ta) 1,8 Вт (Ta), 348 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа ТО-263-7