Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Renesas Electronics America Inc NE5550979A-T1-A - Renesas Electronics America Inc FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Renesas Electronics America Inc NE5550979A-T1-A

РФ Н-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор

  • Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
  • Номер производителя: Renesas Electronics America Inc NE5550979A-T1-A
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9483
  • Артикул: NE5550979A-T1-A
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас Электроникс Америка Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология ЛДМОС
Частота 900 МГц
Прирост 22 дБ
Напряжение – Тест 7,5 В
Текущий рейтинг (А)
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 200 мА
Мощность — Выход 38,6 дБм
Напряжение - номинальное 30 В
Пакет/ключи 79А
Поставщик пакета оборудования 79А
Базовый номер продукта NE5550
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
RF Mosfet 7,5 В 200 мА 900 МГц 22 дБ 38,6 дБм 79 А