| Параметры |
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | ЛДМОС |
| Частота | 900 МГц |
| Прирост | 22 дБ |
| Напряжение – Тест | 7,5 В |
| Текущий рейтинг (А) | 3А |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий — Тест | 200 мА |
| Мощность — Выход | 38,6 дБм |
| Напряжение - номинальное | 30 В |
| Пакет/ключи | 79А |
| Поставщик пакета оборудования | 79А |
| Базовый номер продукта | NE5550 |
| Статус RoHS | Непригодный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
RF Mosfet 7,5 В 200 мА 900 МГц 22 дБ 38,6 дБм 79 А