Renesas Electronics America Inc NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A
- Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
- Номер производителя: Renesas Electronics America Inc NE3512S02-T1C-A
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5
- Артикул: NE3512S02-T1C-A
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Технология | HFET |
| Частота | 12 ГГц |
| Прирост | 13,5 дБ |
| Напряжение – Тест | 2 В |
| Текущий рейтинг (А) | 70 мА |
| Коэффициент шума | 0,35 дБ |
| Текущий — Тест | 10 мА |
| Мощность — Выход | - |
| Напряжение - номинальное | 4 В |
| Пакет/ключи | 4-SMD, плоские выводы |
| Поставщик пакета оборудования | S02 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
RF Mosfet 2 В 10 мА 12 ГГц 13,5 дБ S02
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740