| Параметры |
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 512К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 484-БГА |
| Поставщик пакета оборудования | 484-КАБГА (23х23) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Другие имена | 800-M3008316045NX0IBCRTR |
| Стандартный пакет | 1 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 8 Мбит, параллельный, 45 нс, 484-CABGA (23x23)