| Параметры |
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 35 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 105°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-ЦОП II |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Другие имена | 800-M3004316035NX0PTATR |
| Стандартный пакет | 1 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 4 Мбит Параллельно 35 нс 44-TSOP II