| Параметры |
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Резистор — база (R1) | 1 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 4000 при 300 мА, 2 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,2 В @ 1 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА (ИКБО) |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 3-ССИП |
| Базовый номер продукта | 2SD1697 |
| Статус RoHS | Непригодный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 80 В, 800 мА, 1 Вт, сквозное отверстие