| Параметры |
| Производитель | Ренесас |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60 В |
| Резистор — база (R1) | 2,2 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 1000 @ 1А, 5В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | - |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 3-ССИП |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Базовый номер продукта | CE2F3P |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2156-CE2F3P-T-AZ |
| Стандартный пакет | 431 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 60 В, 2 А, 1 Вт, сквозное отверстие