Rectron USA RM6N100S4
MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3
- Проиджодел: Rectron USA
- NoMerPOIзVODITELEL: Rectron USA RM6N100S4
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3142
- Sku: RM6N100S4
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Rectron USA |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 6a (TA) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 140mohm @ 5a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 690 pf @ 25 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3W (TA) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-223-3 |
| PakeT / KORPUES | 261-4, 261AA |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 2516-RM6N100S4TR |
| Станодадж | 30 000 |
N-kanal 100- 6A (ta) 3w (ta) poverхnoStnoe
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740