Rectron USA RM21N650T2
MOSFET N-CH 650V 21A DO 220-3
- Проиджодел: Rectron USA
- NoMerPOIзVODITELEL: Rectron USA RM21N650T2
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2941
- Sku: RM21N650T2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Rectron USA |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 650 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 21a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 180mohm @ 10,5a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 250 мк |
| Vgs (mmaks) | ± 30 v |
| Взёр. | 2600 pf @ 50 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 188W (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 220-3 |
| PakeT / KORPUES | 220-3 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 2516-RM21N650T2 |
| Станодадж | 5000 |
N-Kanal 650 V 21a (Tc) 188W (TC).
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740