Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BSG0810NDIATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3454
  • Артикул: BSG0810NDIATMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.2500

Дополнительная цена:$3.2500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) асимметричных
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня, привод 4,5 В
Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19А, 39А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 8,4 нк @ 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1040пФ при 12В
Мощность - Макс. 2,5 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 155°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТИСОН-8
Базовый номер продукта BSG0810
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Массив мосфетов 25 В 19 А, 39 А 2,5 Вт для поверхностного монтажа PG-TISON-8