Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPA093N06N3GXKSA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IPA093N06N3GXKSA1

ИПА093N06N3GXKSA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPA093N06N3GXKSA1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7664
  • Артикул: ИПА093N06N3GXKSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.3000

Дополнительная цена:$1.3000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос™
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 43А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,3 мОм при 40 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 34 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3900 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 33 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО220-3-31
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта ИПА093
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
N-канал 60 В 43 А (Tc) 33 Вт (Tc) Сквозное отверстие PG-TO220-3-31