Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1

ИПА65Р190CFDXKSA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4577
  • Артикул: ИПА65Р190CFDXKSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™
Упаковка Трубка
Статус продукта Производство постоянно в Digi-Key
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 190 мОм при 7,3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 730 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1850 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 34 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО220-3-111
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта ИПА65Р
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 650 В 17,5 А (Тс) 34 Вт (Тс) Сквозное отверстие ПГ-ТО220-3-111