Полупроводниковый переход PN P3M06060G7

SICFET N-CH 650В 44А ТО-263-7

Производитель: Полупроводниковый ПН-переход
Номер производителя: Полупроводниковый переход PN P3M06060G7
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6336
Артикул: P3M06060G7
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.3800

Дополнительная цена:$10.3800

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводниковый ПН-переход
Ряд	П3М
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	44А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	79 мОм при 20 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,2 В при 20 мА (тип.)
ВГС (Макс)	+20В, -8В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	159 Вт
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Д2ПАК-7
Пакет/ключи	ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	Затронуто REACH
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	4237-П3М06060Г7ТР
Стандартный пакет	1

Н-канальный, 650 В, 44 А, 159 Вт, для поверхностного монтажа D2PAK-7