Полупроводниковый переход PN P1H06300D8

ГАНФЕТ Н-Ч 650В 10А DFN 8X8

Производитель: Полупроводниковый ПН-переход
Номер производителя: Полупроводниковый переход PN P1H06300D8
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6718
Артикул: P1H06300D8
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.9800

Дополнительная цена:$4.9800

Подробности

Параметры
Стандартный пакет	1
Производитель	Полупроводниковый ПН-переход
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	10А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	-
ВГС (Макс)	+10 В, -20 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	55,5 Вт
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ДФН8*8
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	Затронуто REACH
Другие имена	4237-P1H06300D8TR

Н-канальный, 650 В, 10 А, 55,5 Вт, для поверхностного монтажа DFN8*8