Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFP270N06T3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFP270N06T3

IXFP270N06T3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFP270N06T3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9612
  • Артикул: IXFP270N06T3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5,2764

Дополнительная цена:$5,2764

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12600 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 480 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220-3
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта IXFP270
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Производитель ИКСИС
Ряд HiperFET™, TrenchT3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,1 мОм при 100 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 200 НК при 10 В
Н-канал 60 В 270 А (Тс) 480 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220-3