Vishay Siliconix SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.9200

Эkst цena:$1.9200

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	7A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	600mom @ 3a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	48 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	820 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	78W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D²PAK (DO 263)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Baзowый nomer prodikta	SIHB6
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	1000

N-kanal 650-7а (Tc) 78w (tc) poverхnosstnoe krepleplenee d²pak (до-263)