Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | Трентмос ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 10.4a |
Rds on (max) @ id, vgs | 22mohm @ 4.2a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 1,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 11.6nc @ 4,5 n. |
Взёр. | 740pf @ 16v |
Синла - МАКС | 4,2 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-tssop |
Baзowый nomer prodikta | PMWD20 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 2500 |
MOSFET Array 20V 10,4a 4,2