Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PMWD30UN,518 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PMWD30UN,518

ПМВД30УН,518

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PMWD30UN,518
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1517
  • Артикул: ПМВД30УН,518
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 33 мОм при 3,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 700 мВ при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 НК при 5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1478пФ при 10 В
Мощность - Макс. 2,3 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-ЦСОП
Базовый номер продукта ПМВД30
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Массив мосфетов 30 В 5 А 2,3 Вт для поверхностного монтажа 8-TSSOP