Infineon Technologies BSM200GB170DLCE3256HDLA1
BSM200GB170DLCE3256HDLA1
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies BSM200GB170DLCE3256HDLA1
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 3966
- Sku: BSM200GB170DLCE3256HDLA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | PrimeStack ™ |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1700 В. |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 400 а |
| Синла - МАКС | 1660 г. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 3,2 В @ 15 В, 200a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 5 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 15 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 125 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Baзowый nomer prodikta | BSM200 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | SP000091989 |
| Станодадж | 1 |
Модуль IGBT Half Bridge 1700 V 400 A 1660 wtg
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F