ONSEMI NXH600B100H4Q2F2SG
Mass Market Gen3 Q2BOOST
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI NXH600B100H4Q2F2SG
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 36
- Sku: NXH600B100H4Q2F2SG
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Тридж |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1000 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 192 А. |
| Синла - МАКС | 511 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,3 В @ 15 -n, 200a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 10 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 13.256 nf @ 20 v |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 44 -пим (93x47) |
| Baзowый nomer prodikta | NXH600 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-NXH600B100H4Q2F2SG |
| Станодар | 36 |
Полето, а, igbt-stoptreх yrownhan, 1000 v 192 a 511-МАУНТА.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F