ONSEMI NXH50C120L2C2ES1G
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI NXH50C120L2C2ES1G
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 4834
- Sku: NXH50C120L2C2ES1G
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Treхpaзnый -nertor -stormohom |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 50 а |
| Синла - МАКС | 20 м |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.4V @ 15V, 50a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 250 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 11,89 NF @ 20 V |
| Wshod | Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta |
| NTC Thermistor | В дар |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Модул 26-PowerDip (1,199 ", 47,20 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 26-Dip |
| Baзowый nomer prodikta | NXH50 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 6 |
MMODYALH IGBT TREхPaзnый-nwyrTOR-sTORMOHOM 1200 В 50 a 20 мВЕР.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F