ONSEMI NXH350N100H4Q2F2S1G-R
Gen1,5 1500 -
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI NXH350N100H4Q2F2S1G-R
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 72
- Sku: NXH350N100H4Q2F2S1G-R
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Тридж |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1000 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 303 а |
| Синла - МАКС | 592 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,3 В @ 15 -n, 375 |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 1 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 24.146 nf @ 20 v |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 42-pim/Q2Pack (93x47) |
| Baзowый nomer prodikta | NXH350 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-NXH350N100H4Q2F2S1G-R |
| Станодар | 12 |
МОДУЛЯ МОДАЙЛ ИГБТ СТУП ТРЕ-КРЕВНА
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F