ONSEMI NXH200T120H3Q2F2STG
80 Кстен Генерал-II Q2PACK-200A Модул (
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI NXH200T120H3Q2F2STG
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 8506
- Sku: NXH200T120H3Q2F2STG
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 330 А. |
| Синла - МАКС | 679 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,3 В @ 15 -n, 200a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 35,615 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 56-pim/Q2Pack (93x47) |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-NXH200T120H3Q2F2STG |
| Станодадж | 12 |
МОДУЛЕЙ МОДУЛ ИГБТ СОПОНА 1200 В 330 А. 679 В.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F