онсеми NTMFD1D4N02P1E
МОП-транзистор N-CH 20 В 8PQFN
- Производитель: онсеми
- Номер производителя: онсеми NTMFD1D4N02P1E
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 2
- Артикул: НТМФД1Д4Н02П1Е
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
| Производитель | онсеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Конфигурация | 2 N-канальных (двойных) асимметричных |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 25 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13А (Та), 74А (Тс), 24А (Та), 155А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 3,3 мОм при 20 А, 10 В, 1,1 мОм при 37 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2 В при 250 мкА, 2 В при 800 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7,2 нк при 4,5 В, 21,5 нк при 4,5 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1180пФ при 13В, 3603пФ при 13В |
| Мощность - Макс. | 960 мВт (Та), 1 Вт (Та) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-PowerWDFN |
| Поставщик пакета оборудования | 8-PQFN (5x6) |
| Базовый номер продукта | НТМФД1 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
Массив МОП-транзисторов 25 В 13 А (Ta), 74 А (Tc), 24 А (Ta), 155 А (Tc) 960 мВт (Ta), 1 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 8-PQFN (5x6)
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740