Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi NTMFD0D9N02P1E - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NTMFD0D9N02P1E

IFET 25 В 0,9 МОм PQFN56MP

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NTMFD0D9N02P1E
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2997 г.
  • Артикул: НТМФД0Д9Н02П1Е
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) асимметричных
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30В, 25В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14А (Та), 30А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3 мОм при 20 А, 10 В, 720 мкОм при 41 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 340 мкА, 2 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 нк при 4,5 В, 30 нк при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400пФ при 15В, 5050пФ при 13В
Мощность - Макс. 960 мВт (Та), 1,04 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта НТМФД0D9
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Информация REACH предоставляется по запросу.
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2832-НТМФД0Д9Н02П1ЭТР
Стандартный пакет 3000
Производитель онсеми
Ряд -
Массив МОП-транзисторов 30 В, 25 В, 14 А (Ta), 30 А (Ta) 960 мВт (Ta), 1,04 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 8-PQFN (5x6)