Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi NSVMUN5116T1G-M02 — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSVMUN5116T1G-M02

NSVMUN5116 — ЦИФРОВОЙ BJT PNP — P

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSVMUN5116T1G-M02
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 102
  • Артикул: НСВМУН5116T1G-M02
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0400

Дополнительная цена:$0,0400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 при 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 202 МВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования СК-70-3 (СОТ323)
Базовый номер продукта НСВМУН5116
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 2156-НСВМУН5116Т1Г-М02
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 202 мВт, для внешнего монтажа SC-70-3 (SOT323)