Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi NJVMJD253T4G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NJVMJD253T4G

ТРАНС ПНП 100В 4А ДПАК

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NJVMJD253T4G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7354
  • Артикул: NJVMJD253T4G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 600 мВ при 100 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 40 при 200 мА, 1 В
Мощность - Макс. 1,4 Вт
Частота – переход 40 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NJVMJD253T4GTR
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор 100 В, 4 А, 40 МГц, 1,4 Вт, для поверхностного монтажа DPAK