onsemi MJD45H11G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми MJD45H11G

ТРАНС ПНП 80В 8А ДПАК

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми MJD45H11G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7507
  • Артикул: MJD45H11G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 8 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1 В при 400 мА, 8 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 40 @ 4А, 1В
Мощность - Макс. 1,75 Вт
Частота – переход 90 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Базовый номер продукта МЖД45
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.39.0001
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80 В 8 А 90 МГц 1,75 Вт Для поверхностного монтажа DPAK