Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi FJV3110RMTF-ON — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми FJV3110RMTF-ON

0,1 А, 40 В, НПН

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми FJV3110RMTF-ON
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 91
  • Артикул: FJV3110RMTF-ON
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0300

Дополнительная цена:$0,0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Резистор — база (R1) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 1 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Частота – переход 250 МГц
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Базовый номер продукта FJV311
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 40 В, 100 мА, 250 МГц, 200 мВт, для поверхностного монтажа SOT-23-3