Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi FDS6900AS-G - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми FDS6900AS-G

МОП-транзистор 2N-CH 30 В 6,9 А/8,2 А 8SOIC

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми FDS6900AS-G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9880
  • Артикул: FDS6900AS-G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд PowerTrench®, SyncFET™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,9 А, 8,2 А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 27 мОм при 6,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА, 3 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600пФ при 15В
Мощность - Макс. 900 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Базовый номер продукта ФДС69
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Массив МОП-транзисторов 30 В, 6,9 А, 8,2 А, 900 мВт (Ta), для поверхностного монтажа, 8-SOIC