| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | APM16 |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП | МОСС |
| Коунфигура | 1 феврал |
| ТЕКУИГИГ | 33 а |
| Naprayeseee | 650 |
| Naprayжeniee - yзolyahip | - |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 16-sip-otkrыtain-ploщadka, sphormirovanne otwedenevy |
| Baзowый nomer prodikta | FAM65 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.39.0001 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-FAM65HR51DS1 |
| Станодар | 1 |
Модулбпитания Модуль МОСФЕТ 1 ФАГАА 650 В 33 А.
Болх
- Infineon Technologies Iramx16up60a
- Infineon Technologies Irams10up60a
- Infineon Technologies Irams06up60b
- Infineon Technologies Irams10up60b
- Infineon Technologies Irams06up60a
- Vishay General Semiconductor -Diodes Division EMP15P12D
- OnSemi FCAS50SN60
- ONSEMI FSAM10SH60A
- ONSEMI FSAM10SM60A
- ONSEMI FSAM15SH60A
- ONSEMI FSAM15SL60
- ONSEMI FSAM15SM60A
- ONSEMI FSAM20SH60A
- ONSEMI FSAM20SL60
- ONSEMI FSAM20SM60A