onsemi 2SC3143-5-TB-E — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми 2SC3143-5-TB-E

ТРАНС НПН 160В 0,08А 3CP

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми 2SC3143-5-TB-E
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 189
  • Артикул: 2SC3143-5-ТБ-Е
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1500

Дополнительная цена:$0,1500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 80 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 700 мВ при 3 мА, 30 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 при 10 мА, 5 В
Мощность - Макс. 200 мВт
Частота – переход 150 МГц
Рабочая температура 125°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования 3-КП
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 160 В 80 мА 150 МГц 200 мВт Для поверхностного монтажа 3-CP