NXP USA Inc. PUMD12 135
СЕЙЧАС NEXPERIA PUMD12 — МАЛЕНЬКИЙ ЗНАК
- Производитель: NXP США Инк.
- Номер производителя: NXP USA Inc. PUMD12 135
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 2082
- Артикул: ПУМД12,135
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | NXP США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | 47 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 при 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА |
| Частота – переход | 230 МГц, 180 МГц |
| Мощность - Макс. | 300мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-363 |
| Базовый номер продукта | ПУМД12 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 5,209 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 230 МГц, 180 МГц, 300 мВт, для поверхностного монтажа SOT-363
