NXP USA Inc. PMDPB85UPE,115

СЕЙЧАС NEXPERIA PMDPB85UPE — МАЛЕНЬКИЙ

Производитель: NXP США Инк.
Номер производителя: NXP USA Inc. PMDPB85UPE,115
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1689 г.
Артикул: ПМДПБ85УПЕ,115
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	NXP США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	2,9 А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	103 мОм при 1,3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	950 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	8,1 нк @ 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	514пФ при 10 В
Мощность - Макс.	515 МВт
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	6-ХУСОН (2х2)
Базовый номер продукта	ПМДПБ85
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 20 В, 2,9 А, 515 мВт, для поверхностного монтажа, 6-HUSON (2x2)