| Параметры |
| Производитель | NXP США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Конфигурация | 2 P-канала (двойной) |
| Особенность левого транзистора | Ворота логического уровня, привод 1,8 В |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2,7А |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 102 мОм при 2,7 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8,6 нк при 4,5 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 550пФ при 10 В |
| Мощность - Макс. | 485 МВт |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-УФДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | 6-ХУСОН (2х2) |
| Базовый номер продукта | ПМДПБ80 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Массив МОП-транзисторов 20 В, 2,7 А, 485 мВт, для поверхностного монтажа, 6-HUSON (2x2)