Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PMDPB80XP,115 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PMDPB80XP,115

СЕЙЧАС NEXPERIA PMDPB80XP — МАЛЕНЬКИЙ S

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PMDPB80XP,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8817
  • Артикул: ПМДПБ80ХР,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня, привод 1,8 В
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,7А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 102 мОм при 2,7 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8,6 нк при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 550пФ при 10 В
Мощность - Макс. 485 МВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования 6-ХУСОН (2х2)
Базовый номер продукта ПМДПБ80
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
Массив МОП-транзисторов 20 В, 2,7 А, 485 мВт, для поверхностного монтажа, 6-HUSON (2x2)