NXP USA Inc. PMDPB30XN,115

СЕЙЧАС NEXPERIA PMDPB30XN — МАЛЕНЬКИЙ S

Производитель: NXP США Инк.
Номер производителя: NXP USA Inc. PMDPB30XN,115
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5134
Артикул: ПМДПБ30ХН,115
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	NXP США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	4А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	40 мОм при 3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	900 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	21,7 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	660пФ при 10 В
Мощность - Макс.	490мВт
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	6-ХУСОН (2х2)
Базовый номер продукта	ПМДПБ30
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 20 В, 4 А, 490 мВт, для поверхностного монтажа, 6-HUSON (2x2)