Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PHKD13N03LT,518 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PHKD13N03LT,518

МАЛЫЙ СИГНАЛ ПОЛЕ ЭФФЕКТА ПЕРЕХОД

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PHKD13N03LT,518
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7007
  • Артикул: PHKD13N03LT,518
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10,4А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 20 мОм при 8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10,7 нк при 5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 752пФ при 15 В
Мощность - Макс. 3,57 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Базовый номер продукта PHKD13
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 2 (1 год)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 2500
Массив МОП-транзисторов 30 В, 10,4 А, 3,57 Вт, для поверхностного монтажа 8-СО