Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PDTB143EQA147 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PDTB143EQA147

PDTB143EQA БЮТ ПНП

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PDTB143EQA147
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 13
  • Артикул: ПДТБ143EQA147
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0300

Дополнительная цена:$0,0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд ПДТБ143
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 4,7 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 при 50 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход 150 МГц
Мощность - Макс. 325 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-XDFN Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования DFN1010D-3
Базовый номер продукта ПДТБ143
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 50 В, 500 мА, 150 МГц, 325 мВт, для поверхностного монтажа DFN1010D-3