NXP USA Inc. PDTA113EMB,315
ТЕПЕРЬ NEXPERIA PDTA113EMB — МАЛЕНЬКИЙ
- Производитель: NXP США Инк.
- Номер производителя: NXP USA Inc. PDTA113EMB,315
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 140
- Артикул: ПДТА113ЕМБ,315
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | NXP США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 1 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 1 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 @ 40 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 150 мВ при 1,5 мА, 30 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Частота – переход | 180 МГц |
| Мощность - Макс. | 250 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-101, СОТ-883 |
| Поставщик пакета оборудования | DFN1006B-3 |
| Базовый номер продукта | ПДТА113 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 180 МГц, 250 мВт, для поверхностного монтажа DFN1006B-3
