NXP USA Inc. BUK9K89-100E,115

ТРАНЗИСТОР >30 МГц

Производитель: NXP США Инк.
Номер производителя: NXP USA Inc. BUK9K89-100E,115
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8476
Артикул: БУК9К89-100Э,115
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Параметры
Производитель	NXP США Инк.
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12,5 А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	85 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,1 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	16,8 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1108пФ при 25В
Мощность - Макс.	38 Вт
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	СОТ-1205, 8-ЛФПАК56
Поставщик пакета оборудования	LFPAK56D
Базовый номер продукта	БУК9К89
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Массив мосфетов 100 В, 12,5 А, 38 Вт, для поверхностного монтажа LFPAK56D