NXP USA Inc. BUJD103AD,118 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BUJD103AD,118

СЕЙЧАС WEEN - BUJD103AD - POWER BIP

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BUJD103AD,118
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2358
  • Артикул: БУЖД103АД, 118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 400 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1 В при 1 А, 4 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 11 @ 2А, 5В
Мощность - Макс. 80 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ДПАК
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 570
Биполярный (BJT) транзистор NPN 400 В 4 А 80 Вт для поверхностного монтажа DPAK