NXP USA Inc. BLF8G10LS-160,112

РФ ПФЕТ, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, СВЕРХВЫСОКОЕ F

Производитель: NXP США Инк.
Номер производителя: NXP USA Inc. BLF8G10LS-160,112
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1137
Артикул: BLF8G10LS-160,112
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	NXP США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	ЛДМОС
Частота	920 МГц ~ 960 МГц
Прирост	19,7 дБ
Напряжение – Тест	30 В
Текущий рейтинг (А)	5мкА
Коэффициент шума	-
Текущий — Тест	1,1 А
Мощность — Выход	35 Вт
Напряжение - номинальное	65 В
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СОТ-502Б
Поставщик пакета оборудования	СОТ502Б
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Поставщик не определен
ECCN	EAR99
ХТСУС	0000.00.0000
Стандартный пакет	4

RF Mosfet 30 В 1,1 А 920–960 МГц 19,7 дБ 35 Вт SOT502B