Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. BLF7G10L-250,112 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BLF7G10L-250,112

РФ ПФЕТ, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, СВЕРХВЫСОКОЕ F

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BLF7G10L-250,112
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 78
  • Артикул: BLF7G10L-250,112
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $111.1200

Дополнительная цена:$111.1200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Технология ЛДМОС
Частота 920 МГц ~ 960 МГц
Прирост 19,5 дБ
Напряжение – Тест 30 В
Текущий рейтинг (А) -
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 1,8 А
Мощность — Выход 60 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Пакет/ключи СОТ-502А
Поставщик пакета оборудования ЛДМОСТ
Базовый номер продукта BLF7G10
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
RF Mosfet 30 В 1,8 А 920–960 МГц 19,5 дБ 60 Вт LDMOST