Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. BLF6G15L-40BRN,112 - NXP USA Inc. Полевые транзисторы, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BLF6G15L-40BRN,112

RF PFET, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, L-ДИАПАЗОН, SILI

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BLF6G15L-40BRN,112
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 82
  • Артикул: БЛФ6Г15Л-40БРН,112
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $58.2600

Дополнительная цена:$58.2600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Технология ЛДМОС
Конфигурация Двойной, общий источник
Частота 1,47–1,51 ГГц
Прирост 22 дБ
Напряжение – Тест 28 В
Текущий рейтинг (А) 11А
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 330 мА
Мощность — Выход 2,5 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Пакет/ключи СОТ-1112А
Поставщик пакета оборудования CDFM6
Базовый номер продукта БЛФ6Г15
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
RF Mosfet 28 В 330 мА 1,47–1,51 ГГц 22 дБ 2,5 Вт CDFM6