Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. A5G35H120NT2 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. A5G35H120NT2

ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ,

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. A5G35H120NT2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1420
  • Артикул: А5Г35Х120НТ2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $38.2964

Дополнительная цена:$38.2964

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология -
Конфигурация -
Частота 3,3 ГГц ~ 3,7 ГГц
Прирост 14,1 дБ
Напряжение – Тест 48 В
Текущий рейтинг (А) -
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 70 мА
Мощность — Выход 18 Вт
Напряжение - номинальное 125 В
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 10-PowerLDFN
Поставщик пакета оборудования 10-ДФН (7х10)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 2000 г.
RF Mosfet 48 В 70 мА 3,3–3,7 ГГц 14,1 дБ 18 Вт 10-DFN (7x10)