Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. A3I25X050NR1 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. A3I25X050NR1

ИНТЕГРИРОВАННАЯ МОЩНОСТЬ AIRFAST RF LDMOS

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. A3I25X050NR1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9088
  • Артикул: А3И25Х050НР1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $40,8710

Дополнительная цена:$40,8710

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология ЛДМОС (двойной)
Конфигурация 2 N-канала
Частота 2,3 ГГц ~ 2,7 ГГц
Прирост 28,8 дБ при 2,59 ГГц
Напряжение – Тест 28 В
Текущий рейтинг (А) 10 мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 130 мА
Мощность — Выход 5,6 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ОМ-400-8
Поставщик пакета оборудования ОМ-400-8
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.33.0001
Другие имена 568-А3И25Х050НР1ТР
Стандартный пакет 500
RF Mosfet 28 В 130 мА 2,3–2,7 ГГц 28,8 дБ при 2,59 ГГц 5,6 Вт OM-400-8