Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3

ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ,

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2488
  • Артикул: А3Г26Х200В17СР3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $103.0700

Дополнительная цена:$103.0700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология -
Конфигурация -
Частота 2,496–2,69 ГГц
Прирост 14,2 дБ
Напряжение – Тест 48 В
Текущий рейтинг (А) -
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 120 мА
Мощность — Выход 34 Вт
Напряжение - номинальное 125 В
Пакет/ключи НИ-780С-4С2С
Поставщик пакета оборудования НИ-780С-4С2С
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 250
RF Mosfet 48 В 120 мА 2,496–2,69 ГГц 14,2 дБ 34 Вт NI-780S-4S2S