NXP Semiconductors PSMN6R0-30LB, 115

Nexperia psmn6r0-25yld - 61a, 25

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Nxp poluprovoDonnyki
В припании	-
Упако	МАССА
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	71a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	6,5mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	1,95 Е @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	19 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1088 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	58 Вт (TC)
Raboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	LFPAK56, Power-So8
PakeT / KORPUES	SC-100, SOT-669
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	2156-PSMN6R0-30YLB, 115-954
Станодадж	1

N-kanal 30- 71a (tc) 58w (tc) poverхnosstnoe krepleplenee lfpak56, power-so8