NXP Semiconductors PDTC115EMB, 315
Pdtc115e - npn -rereshstor
- Проиджоделх: Nxp poluprovoDonnyki
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP Semiconductors PDTC115EMB, 315
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 189
- Sku: PDTC115EMB, 315
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Nxp poluprovoDonnyki |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 20 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 100 км |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 100 км |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 5ma, 5в |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 150 мв 250 мка, 5 |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 1 мка |
| ASTOTA - PRERESHOD | 230 мг |
| Синла - МАКС | 250 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-101, SOT-883 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DFN1006B-3 |
| Baзowый nomer prodikta | PDTC115 |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодар | 1 |
Predvaritelnonosmeчennnnый-ypipolairnыйtranзystor (bjt) npn-predvarotelno-smeщennannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannannane krepleneee dfn1006b-3
