NXP Semiconductors BUK762R6-40E, 118

Тепр nexperia buk762r6-40e 100a,

Колиство:

ДОБАВИТА

Подробнеси

Парметр
Млн	Nxp poluprovoDonnyki
В припании	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™
Упако	МАССА
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	100a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	2,6mohm @ 25a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	91 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	7130 pf @ 25 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	263W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D2Pak
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Дрогин ИНЕНА	2156-Buk762R6-40E, 118-954
Станодар	1

N-kanal 40-nmarna (tc) 263w (tc) poverхnosstnoe